EUV相关论文
This paper introduces the recent progress in methodologies and their related applications based on the soft x-ray interf......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
IBM率先造出首款2nm芯片,比台积电还快,谁将受益?与IBM一样涉足2nm芯片研究的,就是台积电,台积电占据着代工厂老大哥位置,一手研究......
Using the observational data of the solar radio spectrometer with a broad bandwidth of the Chinese National Astronomical......
以McPHERSON 247型掠入射软X射线-真空紫外单色仪配合5900 Magnum通道电子倍增器,测量了Fe靶在高真空环境下的纳秒激光等离子体25～6......
The demand to enhance the optical resolution, to structure and observe ever smaller details, has pushed the way towards ......
简要阐述了强吸收波段亚四分之一波长多层膜的设计方法。这种膜系是由强吸收材料叠加而成，每层膜光学厚度小于四分之一个波长。与常......
衍射效率的高低是衡量极紫外多层膜光栅的最重要指标。为实现高衍射效率,必须发展合适的多层膜沉积方法,以确保在镀膜过程中光栅衬......
近日,雪佛兰全新Bolt EV/Bolt EUV正式发布。两款车均以其独特的外观设计而著称,雪佛兰Bolt EV自2017年投放市场以来广受业内好评,......
观测光谱是研究天体的基础资料，对这些光谱的理解主要依靠理论模型。由于各模型依赖于众多的基本原子参数，且不同的模型对同一特定对......
当前半导体器件加工水平正在向22 nm方向发展,而最有希望实现这一尺寸的光刻技术即为EUV光刻技术。EUV光源所发出的13.5 nm辐射因......
日本技术研究组合极紫外曝光系统技术开发机构成功地研制出下一代半导体曝光装置用极紫外(EUV)光源，其发光点输出达到4W，是目前世界......
对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射......
对于前沿领域，极紫外线（EUV）光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。......
一、简介光刻技术(Lithgraphy)被广泛运用于当今半导体制程中.光刻技术可以用近紫外光(Near UltraViolet,NUV)、中紫外光(Mid UV,M......
月基极紫外相机用于月球表面对地球等离子体层辐射出的30.4nm谱线进行成像观测,多层膜反射镜是月基极紫外相机的重要光学元件。根......
利用太阳射电宽带频谱仪(0.7-7.6 GHz)于2001年10月19日观测到的复杂太阳射电大爆发,呈现出许多有趣的特征.结合NoRH(Nobeyama Rad......
随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着。无论如何,目前的光刻技术将在未来的几......
在计算机领域,经常会听到制造工艺或制程这个字眼,比如什么0.25、0.18微米工艺,威盛推出的C3(Samuel 2)处理器甚至使用0.13微米工......
光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使......
利用射频磁控溅射法，在SSiC陶瓷表面沉积一层无定形Si—C-O-N涂层，测试了抛光后的涂层和SSiC陶瓷在不同波段的反射率情况。结果表明：......
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光装置NXE：3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTRE......
用直流磁控溅射法结合掩模板控制膜厚的方法在Si衬底上制备了工作于6.8～11.0nm波段的[Mo/B4C]60横向梯度多层膜。利用X射线掠入射反......
本文选取2001年6月8—10日的一个亚暴事件,模拟了在这期间等离子体层的结构演化过程.选取Weimer（2001模式）电场和Tsyganenko（1996模式......
三星Exynos于近日在上海举办了首场面向中国市场的新品发布会,发布了Exynos 1080移动处理芯片。集成5G模组的Exynos 1080是三星首......
对于前沿领域,极紫外线(EUV)光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。
For the forefront......
现有的光刻技术采用波长193纳米的深紫外光(DUV)制造出22纳米宽的最小线宽已接近极限。为了在同一芯片上蚀刻更小线宽,则需要使用......
众所周知,芯片工艺越先进,芯片内部的晶体管密度就越高,同时在单位面积内带来更好的性能和功能。据外媒报道,2020款iPhone将是一款......
EMV(期望货币值)和EUV(期望效用值)是项目决策中常用的两种方法。EMV理论决策准则是期望收益最大;EUV理论是在EMV理论基础上发展起......
<正>2018年5月22日,国内半导体设备龙头企业北方华创发布公告,公司及其全资子公司北京北方华创微电子装备有限公司获得国家科技重......
ASML与半导体制造厂共同研发,继英特尔成功利用EUV微影技术,在24小时内完成曝光逾600片晶圆之后,台积电也成功在一天内完成600片晶......
集成电路的制造技术下一步将进入7nm节点,业界期待极紫外光（EUV）微影技术的成熟并广泛推广应用,期望EUV能用来制造更小、更便宜的晶......
在历经了多年的乐观预测与并不顺利的初始尝试阶段后,EUV技术终于在2019年进入批量生产。掩膜制造厂对具有EUV功能的设备投资是巨......
<正>KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。从而公司进入专用空白光罩的检验市场。光罩坯件制造商需要针......
2017年6月21日,“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密......
据外媒报道,三星已经完成了7nm新工艺的研发,而且三星也全球第一个在7nm上投入了技术更先进、但难度极高的EUV极紫外光刻的,原本应......
<正>在一粒米上写下整本《红楼梦》,并非什么遥不可及的难事,只要我们拥有一台光刻机!事实上远比在一粒米上写出整部书更难的事,是......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
We have been developing debris-free laser plasma sources for EUV lithography since 1996. Two types of debris-free source......
According to the SIA roadmap, by the year of 2006, minimum feature size of 70 nm on wafer is required. Research in U.S.,......
EUV光刻正在成为引领集成电路光刻技术发展的最具潜力的技术。本文围绕EUV光刻工艺技术领域的专利申请发展趋势、区域分布、主要申......
基于微通道板(MCP)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为19.5 nm的极紫外(EUV)光进行成像.结果获得了宽度为3 mm的狭缝的像,实验......
